推广标签： 团队组织 技术专家 科技成果 查看更多... 项目介绍： 本人杨洪恩发明农药：（植物杀菌剂）。属于国内先进型填补空白；能为人类减少很多疾病。造福于人类。过去和现在使用农药基本都是化工产品对农作物产生剧毒，所以残留在食物中毒超标，致使给人类造成了各种疾病。本人经多年研究发明用植物作原料制成农药杀菌，对人类没有危害，对农作物既有效又没有毒素残留，无公害，实属绿色产品，在我有生之年为人类做点贡献。 注：（1）一千克一公顷，500克用5亩地 （2）年产15000吨 （3）年产值5.7亿（人民币） （4）年利润约2.3亿（人民币） （5）原料丰富 （6）成产工艺简单 （7）附加值高。 本页信息基于公开资料整理，仅供参考。不构成任何形式的投资或决策建议，其真实性、准确性均不作担保，请谨慎甄别！对接核心提示：确认技术团队需具备明确的转化意向与初步的产业化路径。对接前，强烈建议完成专业的专利侵权风险分析（FTO）与稳定性分析。未提供有效联系人的信息无法启动对接。

推广标签： 团队组织 技术专家 科技成果 查看更多... 一种考虑轴承寿命和边缘应力的轴承滚子对数修形方法技术概况：轴承作为工业基础件，被广泛应用于汽车、家电、工业齿轮箱、矿山机械、风力发电机、机床等各种机械行业领域。作为支撑部件，轴承的可靠性和使用寿命至关重要，甚至决定着整个机械机构的核心使用性能。作为旋转件，轴承滚子在滚道内持续滚动，周期载荷引起的疲劳损伤是轴承的主要失效形式。对数修形方法通过数学建模（如对数曲线方程），对滚子轮廓进行非线性优化修整，减少滚子两端边缘的应力集中，避免局部过载，通过优化接触应力，使轴承整体寿命提升，减少因边缘应力导致的滑动摩擦，降低能耗和运行温度。创新关键词：【双目标协同优化】同时考虑轴承寿命（疲劳强度）和边缘应力控制，解决传统修形“顾此失彼”的难题。【动态载荷适配：】根据轴承实际工况（如风电变载荷、盾构机冲击载荷），动态调整修形曲线参数。【精度加工控制：】精度加工控制：采用数控磨削和激光检测技术，确保对数曲线轮廓精度达微米级。描述前景：推动国产精密数控磨床、激光测量仪等高端装备研发，促进上下游协同升级。以风电领域为例：单台10MW风机主轴承成本约300万元，国产化后节省近100万元，按年装机50GW测算，年节省超50亿元。摩擦损耗降低15%，单台大型设备年均节电约2万度，助力“双碳”目标。对数修形技术不仅是国产高端轴承“从有到优”的突破，更在风电、军工等战略领域实现了“卡脖子”环节的自主可控。随着全球高端装备轻量化、长寿命化趋势加速，该技术有望成为国际轴承市场的“中国标杆”。本页信息基于公开资料整理，仅供参考。不构成任何形式的投资或决策建议，其真实性、准确性均不作担保，请谨慎甄别！对接核心提示：确认技术团队需具备明确的转化意向与初步的产业化路径。对接前，强烈建议完成专业的专利侵权风险分析（FTO）与稳定性分析。未提供有效联系人的信息无法启动对接。

推广标签： 团队组织 技术专家 科技成果 查看更多... 专注于离子注入机研发与制造，突破大流强离子源、高速晶圆传输等关键技术，形成覆盖28nm工艺的全系列产品（中束流、大束流、高能、特种等）。实现集成电路核心装备的自主可控，打破国外垄断，是保障我国芯片产业链安全的关键企业，国产替代需求迫切。广泛用户集成电路芯片制造生产线。 本页信息基于公开资料整理，仅供参考。不构成任何形式的投资或决策建议，其真实性、准确性均不作担保，请谨慎甄别！对接核心提示：确认技术团队需具备明确的转化意向与初步的产业化路径。对接前，强烈建议完成专业的专利侵权风险分析（FTO）与稳定性分析。未提供有效联系人的信息无法启动对接。

推广标签： 团队组织 技术专家 科技成果 查看更多... 高压LDMOS器件技术解析技术概况：功率半导体器件可定义为能够进行电能处理的半导体器件。电能处理又叫功率处理，包括功率管理、功率放大、变压、变流和变频等。对于功率器件，由于驱动电路简单等诸多好处，因此在高压功率集成电路(HVIC)中得到了广泛的应用。面对高电压与高电流的环境下，现有技术中的半导体器件容易损坏。为了获得更优越的性能，如高击穿电压、低导通电阻，许多新型的LDMOS器件技术被提出，以适用于不同的工作电压范围。低的导通电阻有助于混合信号集成电路中开关和驱动器的输出功率和效率的提高。随着便携式电源管理和汽车电子市场的快速增长，击穿电压与导通电阻之间的折衷已经成为低压LDMOS发展的重要课题。用于制备高压LDMOS器件的方法及器件技术方案，对高压LDMOS器件的漂移区进行了有针对性的设计，设计了一种新型的漂移区局部线性掺杂工艺，并为此定制化开发了一套光刻版通过设计光刻版即掩膜版的尺寸和间隔宽度，适当降低了漂移区两个击穿点发生位置的离子掺杂浓度。与传统线性掺杂法相比，在击穿点位置对应的漂移区区域的离子掺杂浓度进行了局部调整，降低了击穿点位置对应的漂移区区域的离子掺杂浓度。进而使漂移区击穿点位置的耐压强度得到提升，场板结构高压LDMOS器件获得较为均匀的横向电场分布，进而提高器件击穿电压。 创新关键词：【低导通电阻设计】开发阶梯式场板结构（Stepped Field Plate），通过优化电场分布，在击穿电压800V下实现比导通电阻，功率损耗降低。采用复合外延层技术，载流子迁移率提升。【高可靠性工艺】创新双注入RESURF技术，横向耐压均匀性提升。引入原子层沉积（ALD）钝化层，界面态密度降，抗静电能力。【智能集成方案】配套开发单片集成驱动IC，通过3D TSV封装实现智能功率模块（IPM）体积缩小，系统效率提升。搭载温度-电流自适应调节算法，实时监控结温波动，动态调整安全工作区，故障率降低。描述前景：产品应用领域工业电源、新能源汽车、5G通信、智能电网、消费电子等，替代进口产品，具价格优势。应用于光伏逆变器可使系统转换效率提升1.2%，单台100kW设备年发电量增加。牵头制定《高压LDMOS器件可靠性测试规范》团体标准，定义动态雪崩能量（EAS）、热阻（Rth）等关键指标。采用无铅化封装工艺，通过RoHS 3.0认证，单颗器件碳足迹较传统工艺降低。技术所属细分领域功率半导体器件（属电力电子核心元器件）；技术层级为第三代半导体应用技术（列入国家03专项重点支持方向），入选工信部《重点新材料首批次应用示范指导目录》。作为国内掌握800V级Si/SiC混合集成LDMOS技术突破车规级高压芯片“卡脖子”难题，技术稀缺性，据相关专业预测，高压功率半导体全球市场规模使国产化加速：中国功率半导体自给率将从2023年30%提升至2025年50%，对应LDMOS器件年需求超50亿颗。目前该技术产品已进入华为数字能源、比亚迪半导体供应链。成长预期2025年建成12英寸特色工艺产线，目标3年内国内车规级LDMOS市占率突破25%，并取得德国TÜV功能安全认证（ISO 26262）。打破国际巨头在超高压领域的技术垄断。本页信息基于公开资料整理，仅供参考。不构成任何形式的投资或决策建议，其真实性、准确性均不作担保，请谨慎甄别！对接核心提示：确认技术团队需具备明确的转化意向与初步的产业化路径。对接前，强烈建议完成专业的专利侵权风险分析（FTO）与稳定性分析。未提供有效联系人的信息无法启动对接。