用于制备高压 LDMOS器...专利技术，创新关键在于它成功攻克了高压LDMOS器件在高耐压、长寿命和高良率之间难以兼顾的行业瓶颈，通过一系列创新的设计与工艺，显著提升了LDMOS器件的综合性能，通过深N型埋层（DNBL） 等电荷补偿结构，改善了电场分布，使得器件在承受高电压时，电场能够更均匀地分散，从而显著提高了耐压能力。采用了分段栅极和多级场板结构，有效抑制了栅极边缘和漂移区表面的电场集中效应。这能将局部电场峰值从2MV/cm降低至1.5MV/cm，从而减少栅极损坏的风险，并进一步提升击穿电压。

     在关键的氧化层制备上，使用了高密度等离子体氧化（HDPO） 等先进工艺来形成高质量氧化层。这类高密度、高质量的氧化层能有效抑制辐照等因素导致的陷阱电荷生成，增强了器件的长期可靠性。同时，通过专用刻蚀机台分别处理不同材料层的方法，实现了更精确的图案转移，减少了因刻蚀不净或过刻蚀导致的缺陷，直接提升了生产良率。