背景技术

[0002] 碳化硅晶体在显示、存储、探测等光电子器件和高温、高频、大功率电子器件领域 中有广阔的应用前景。碳化硅粉作为晶体的生长原料，其纯度在生长半导体碳化硅晶体时 具有重要的作用，会直接影响生长碳化硅晶体的结晶质量和电学性质。

[0003] 目前，碳化娃粉的制备方法主要是Acheson法，该方法为E. G. Acheson在1893年提 出（U.S.Patent 492,767)，通过电加热碳质材料和二氧化娃(Silica)(或娃酸错，Aluminum Si I icate)混合物，制得碳化娃人工晶体。在生产过程中，添加盐作为溶剂。当电流通过石墨 芯时，盐融化使得碳和二氧化硅(或者硅酸铝)紧密接触，从而产生化学合成和分解，并产生 大量的气体和挥发物。

[0004] 其中，碳质材料可以为烟煤制成的焦碳(Coke)，或者气焦碳(Gas Coke Carbon)。 如果采用二氧化硅，碳和二氧化硅的摩尔比例高达10:1，所得到的碳化硅产物中氧化铝、氧 化铁、氧化钙和氧化镁含量为0.63% ;如采用硅酸铝，碳和硅酸铝摩尔比例高达27 :1，产物 中氧化铝、氧化铁、氧化妈和氧化镁含量为5.13%。

[0005] 可见，利用Acheson方法制备碳化娃粉，不仅需要的碳原料多，而且得到的碳化娃 粉纯度较低，只能被广泛用于磨料，而不能用于碳化硅半导体材料的生产。

[0006] 胡小波等人提出的一种合成高纯碳化硅粉的方法（中国专利ZL200810016665.6) 为二次合成方法。即首先在1500 °C合成碳化娃粉末，然后将一次合成粉末混合均勾，在1600 tC到200(TC二次合成碳化硅粉末。该二次合成方法虽然提高了碳化硅粉的纯度，使碳化硅 粉能够用于半导体材料的生产，但是由于采用二次合成，所以工艺复杂，生产效率较低，耗 费能源较多，而且纯度还不能很好地满足半导体材料生产的要求。