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节能新生力：3英寸半绝缘碳化硅单晶生长技术
行业动态   机械制造      2015年03月22日
文章来源：中国经济导报  文章版权：转载信息  作者：管理员lhm阅读量：3461
内容摘要：生长2~4英寸低成本、高质量碳化硅单晶。该成果采用99.999%高纯原料减小杂质含量。晶片为半绝缘型，晶片的Hall系数载流子数密度达到1.04E12/平方厘米
       在我国推动以碳化硅、氮化镓单晶基础原料产业化进程中，随着光电节能科技进一步发展，其市场前景更加广阔。

 

       以生产、销售高质量无色透明碳化硅单晶片为主，德清州晶新材料科技有限公司利用自主知识产权制造的核心产品——3英寸半绝缘碳化硅单晶生长技术，经过国家科技成果评估和鉴定，技术达到国际先进水平。该成果在技术、结构、工艺及理论上创新突破，利用自行研制的4英寸碳化硅PVT晶体生长炉，自主合成高纯碳化硅原料。采用高温低压晶体生长控制技术，实现了在2300℃高温和低压条件下，轴向温度梯度、径向温度梯度及压力水平的调控。专家认为，通过调控主要参数，分析其对实验系统以及SiC晶体的影响，改进优化，从而生长2~4英寸低成本、高质量碳化硅单晶。该成果采用99.999%高纯原料减小杂质含量。晶片为半绝缘型，晶片的Hall系数载流子数密度达到1.04E12/平方厘米、电阻率达到100492欧姆厘米。晶片达到无微管的水平，电阻值超过了Cree器件的技术要求标准。

 

       作为节能新生力，碳化硅单晶片可广泛应用在微波器件、电力电子器件、LED器件等领域，为减少电能量损耗，提高电能使用效率以及产业升级和节能减排提供技术保障。
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

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