基于络合吸附法联合精馏提纯技术去除多晶硅中痕量杂质

二、需求内容及技术指标要求
1.寻找并筛选适用于氯硅烷除杂的吸附剂、络合剂，开展小试实验，探究吸附剂、络合剂性能，并进行理论研究。开发络合吸附法联合精馏中试装置，并实现工业化应用。
2.开发基于络合吸附法联合精馏提纯技术去除多晶硅中痕量杂质的成套技术，对施主杂质吸附效率≥50%，受主杂质吸附效率≥90%，碳杂质吸附效率≥80%，金属杂质吸附效率≥70%，通过络合吸附联合精馏装置，整体除杂效率≥90%，蒸汽消耗降低25%。
三、发榜方承诺提供的条件
1.拥有多晶硅行业专家和研发团队500余人，在科研和新产品开发方面的提供强有力的人才团队支撑。
2.拥有国家级联合实验室、自治区重点实验室、产学研联合开发示范基地等科技创新平台，为研发工作提供支持。
3.取得授权专利689件，其中发明专利399件、PCT国际专利9件，多项核心技术拥有自主知识产权。
四、预期成果形式
围绕基于络合吸附法联合精馏提纯技术去除多晶硅中痕量杂质的技术，所形成的成果所属权归双方共有。
五、交付条件
开发1套基于络合吸附法联合精馏提纯技术去除多晶硅中痕量杂质的工艺技术，开发1套络合吸附法联合精馏中试装置，开发1种高效吸附材料，开发1种高效络合剂。
六、项目实施周期及揭榜金额
项目实施周期为2年。
对揭榜方要求
揭榜方应具有独立的研发团队、配套的科研条件和自主研发实力，能按要求完成揭榜任务（具体要求请与项目专员联系）。