【技术指标/产品性能】产品规格:碳化硅肖特基二极管(SiC SBD):650V-3300V/2A-50A;碳化硅场效应管(SiC MOSFET):650V-6500V/17mΩ-1000mΩ。封装形式:裸芯片,TO-220,TO-263-2,TO-247-2,TO-247-3,TO-254,TO-258,SMD等。产品规格丰富,产品性能与国外同类产品水平相当。
【转化形式】合作开发、技术服务
【应用场景】电台电源、新能源汽车、轨道交通、新能源发电、电网传输,白色家电等。
【所处阶段】小批量生产、工程应用阶段
【预期效益】根据Yole和HIS Market数据,2019年全球SiC电力电子器件市场规模为5.07亿美元,市场渗透率为2.5%。从市场规模看,SiC电力电子器件仍处于早期产品导入阶段,将有极大的市场发展空间。Yole预测,到2023年,SiC市场将增长至14亿美元,CAGR高达30%。在新能源汽车、数据中心、轨道交通等领域将大有可为。
本产品技术通过大批量使用国产SiC单晶衬底,牵引国产SiC衬底材料质量提升和产业化;还将促进电动汽车、智能制造、轨道交通、工业控制等战略性新兴产业的发展,实现国内高端电力电子器件发展水平提升。吸纳投融资的回收周期8年,预期回报率12%。
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【持有单位】中电国基南方集团有限公司
【联系人】唐有青 电话:025-86858117,
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