推广标签： 团队组织 技术专家 科技成果 查看更多... 应用领域：基于GaN基电子材料的微波功率器件和电力电子器件可以广泛应用于移动通信基站等新一代信息产业领域。据美国Cree公司估计，如果在新一代无线通讯基站中以 GaN 基功率器件替代目前常用的Si LDMOS管使之成为无线基站射频功放的主流功率放大器知识产权：本技术所涉及到的材料结构和制作方法已申请并获得授权的国家发明专利 4项氮化镓（GaN）基电子材料是发展新一代GaN基微波功率器件和电力电子器件的基础，处于信息产业链的高端，是各国竞相占领的新一代战略高技术制高点，也是推动和发展我国新一代信息产业的重要机遇。 半导体所半导体照明研发中心主持国家重点研发计划项目专项“战略性先进电子材料 —面向下一代移动通信的GaN基射频器件关键技术及系统应用”的课题1“ SiC单晶制备及GaN外延生长”，已经攻克了大尺寸碳化硅和硅衬底上GaN基电子材料外延生长的关键科学技术问题，在高阻GaN外延材料、高迁移率GaN外延材料、高迁移率AlGaN/GaN异质结结构材料等方面形成了系统的自主知识产权，设计并研制出了多种具有特色的AlGaN/GaN异质结构电子材料。适于研制生产高频、大功率GaN基功率器件、单片集成电路和电力电子器件，可广泛应用于手机基站、航空航天、卫星通信、智能电网、电动汽车、高速列车等领域，具有重大应用前景和市场潜力。技术特点该技术是采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法，在碳化硅或者硅衬底上外延高性能GaN基电子材料，采用本技术研制的GaN基电子材料，生长速度快、材料质量好，重复性和均匀性高。采用该技术所研制的外延材料性能为国内领先水平，外延材料方块电阻：300-400Ω/之间可调；方块电阻片内不均匀性：优于3%；室温二维电子气迁移率：大于2300cm2/Vs；外延材料尺寸：2英寸或4英寸，并可扩展更大尺寸。专利情况本技术所涉及到的材料结构和制作方法已申请并获得授权的国家发明专利 4项。 应用领域及市场前景基于GaN基电子材料的微波功率器件和电力电子器件可以广泛应用于移动通信基站等新一代信息产业领域。据美国Cree公司估计，如果在新一代无线通讯基站中以 GaN 基功率器件替代目前常用的Si LDMOS管使之成为无线基站射频功放的主流功率放大器件，可减少高达20%的功耗，每年将节省60TWh的电能。 本页信息基于公开资料整理，仅供参考。不构成任何形式的投资或决策建议，其真实性、准确性均不作担保，请谨慎甄别！对接核心提示：确认技术团队需具备明确的转化意向与初步的产业化路径。对接前，强烈建议完成专业的专利侵权风险分析（FTO）与稳定性分析。未提供有效联系人的信息无法启动对接。

推广标签： 团队组织 技术专家 科技成果 查看更多... MTX CFF 泡沫陶质过滤板CFF泡沫陶质过滤板该新型结构材料是中俄国际合作的世界最先进的低温清洁的烧结技术，以其卓越性能堪称当今新-代泡沫陶质过滤板,广泛应用于铝加工工业中的铝熔体过滤净化,更好地提高铝材质量,并拓展在环保工程和热能利用，催化载体等等领域的应用。 1.与传统的过滤板相比, CFF泡沫陶质过滤板具有以下的优点:强度高，不掉渣(陶粒)三维立体网络状优于蜂窝泡沫型抗热震性好低温烧结、清洁生产FMT.Co生产的CFF经国内外测渣仪检测验证，其过滤精度超群。 2.产品信息：新型陶质过滤板,可提供20～80ppi各种规格泡沫陶质（有别于陶瓷）过滤板。 本页信息基于公开资料整理，仅供参考。不构成任何形式的投资或决策建议，其真实性、准确性均不作担保，请谨慎甄别！对接核心提示：确认技术团队需具备明确的转化意向与初步的产业化路径。对接前，强烈建议完成专业的专利侵权风险分析（FTO）与稳定性分析。未提供有效联系人的信息无法启动对接。