MOSFET器件的制作方法、及其器件、设备的制作方法及其设备:目前在SGT/Trench mos产品,因垂直器件的沟槽存在,在填充多晶硅时,
因Trench沟槽的存在,导致在多晶硅形成时,因多晶硅形成的方式,导致一定会在Trench顶部以下形成缝隙(Seam),此缝隙会在多晶硅刻蚀时被放大,从而影响器件性能。
为了保证多晶硅的填充效果,通常会将器件的沟槽角度控制在小于89 度,因此工艺影响,导致Trench角度无法做的过直,致使在非直角的沟槽填充中,底部多晶硅的宽度较小,在涉及横向二维电荷耦合器件中,使得器件的电荷耦合能力下降。而对器件性能有进一步影响。因而,特征尺寸缩小成为难题,因而,开发一种制作平坦形貌的多晶硅,成为本领域技术人员亟待要解决的技术重点。