李培刚，男，北京邮电大学，教授/博士生导师，2006 年毕业于中科院物理所凝聚态物理专业，获得理学博士学位，毕业后到浙江理工大学工作。2015 年获得教授职称。曾先后担任物理系副主任、主任。2018 年 5 月调入北京邮电大学物理系工作，担任理学院教学委员会委员，材料科学与工 程专业负责人。2007 年 3 月到 2009 年 6 月，获得世界著名的洪堡基金会资助，以洪堡学者身份，在德国于利希研究中心工作，2009 年 7 月至 2010 年 8 月作为玛丽居里学者（Marie-Curie Fellow），分别在希腊激光与电子结构研究所和意大利技术研究所工作。获得国家留学基金委的资助于 2016 年 3 月 至 2018 年 8 月作为访问学者，在美国杜兰大学物理系进行合作研究。2010年入选浙江省优秀青年教师资助计划，2012 年获得浙江省“钱江人才计划”资助，2013 年入选浙江理工大学中青年拔尖骨干人才资助计划，同年入选浙江省中青年学科带头人培养计划。长期从事半导体材料与器件方向的研究工作。主持国家自然科学基金面上项目及横向课题等科研项目 10 余项，指导学生科研项目和竞赛项目15 项。发表 SCI 收录论文 160 余篇，被引用 2500 余次。获得授权发明专利 20 余项。中国物理学会终身会员，中国物理学会固体缺陷专业委员会委员，浙江省物理学会 X 射线专业委员会委员，美国物理学会会员，中关村天合宽禁带半导体联盟标准化委员会委员。苏州黄埭高新区创新智库专家。
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主要研究方向

1、 碳化硅（SiC）功率芯片设计及应用研究SiC 是在电力电子领域制造耐高压、耐高温、耐辐照功率器件的优良半导体材料。与 Si 基模块相比，SiC 二极管及开关管组成的模块还可以缩小模块体积 50%以上、消减电子转换损耗 80%以上，是目前综合性能最好、商业化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料。可以应用到新能源（光 伏和风力发电等）、电动汽车（电控/驱系统）、充电桩、轨道交通（高铁电力设施）、智能电网、工业变频电源等行业，解决电力电子技术对高温、高压、高频、高功率等方面的要求。团队掌握常规功率芯片设计技术，具有工艺开发能力，可以快速实现产品迭代。目前主要对标国外成熟的 SiC 功率器件芯片进行设计和开发， 并开展器件应用研究。主要产品包括肖特基二极管（SBD），结势垒二极
管（JBS），场效应晶体管（MOSFET），并在未来规划研发 SiC 基 IGBT器件。旨在解决我国在碳化硅功率器件芯片领域的“卡脖子”技术。

2、 超宽禁带半导体氧化镓（Ga2O3）材料和器件研究

氧化镓（Ga2O3）是性能更优于碳化硅（SiC）的一种超宽禁带半导体材料，在高功率半导体器件和日盲紫外光电探测器方面的制备方面具有潜在的应用价值。在电力电子芯片制备领域有可能部分的替代碳化硅。在制造相同耐压的单极功率元件时，元件的能耗比碳化硅和氮化镓器件要低很多。另外，氧化镓光电传感器探测中不需要使用昂贵的紫外滤镜，也不需要与其它材料复合，就可以实现日盲紫外探测，所以，器件的结构相对简单、器件稳定性好、成本较低。
团队主要针对氧化镓半导体产业链前端的基础材料（单晶基片和外延薄膜）开展研究工作，在解决基础材料的基础上，开展氧化镓基光电探测
器件和高功率器件芯片的制备工艺开发。目前已经掌握氧化镓单晶生长和切割技术、氧化镓外延薄膜生长技术，以及日盲在外探测器的制备技术，
外延薄膜生长和氧化镓基日盲探测器方面的工作处于国际领先地位。未来将研发氧化镓基功率器件芯片的开发和应用工作。产品可用于各种电力电 子设备，降低能耗，减轻质量，提高性能。

3、其它应用技术（1）红外激光芯片制备：可以设计制备高性能红外激光芯片，可用于雷达探测，无人机控制，汽车车距监测等领域。（2）物联网相关技术：开发各种传感器，并可以实现信号无线远程发射，云端存储，客户端设计，根据需要可以搭建平台，实现对环境、设 备等的参数测量、监测和预警。